Компании SanDisk и Toshiba сообщают о новом достижении в области производства чипов флэш-памяти – создании чипа флэш-памяти NAND ёмкостью 16 Гбит с использованием 56-нм технологического процесса. Согласно информации от производителей, разработчики использовали технологию создания многоуровневой ячейки памяти (Multi-Level-Cell – MLC). Это позволило обеспечить не только большую ёмкость чипов, но и высокую скорость чтения/записи информации.
На данный момент инженеры SanDisk и Toshiba изготовили лишь первые образцы 56-нм чипов NAND-памяти, но уже в первом квартале 2007 года начнётся массовое производство микросхем, позволяющих хранить до 8 Гбит данных. Несколько позже, а именно во втором квартале 2007 года, планируется начать массовый выпуск и 16-гигабитных чипов флэш-памяти.
Сообщается, что новинки будут изготавливаться на мощностях фабрики Fab 3, принадлежащей японской Toshiba, из 300-мм кремниевых пластин. В конце 2007 года к процессу подключат ещё одно предприятие, также принадлежащий Toshiba завод Fab 4, что позволит заметно повысить объёмы выпуска 56-нм чипов флэш-памяти.
Представленные решения будут использоваться не только в производстве сменных карт памяти форматов Secure Digital, CompactFlash, и др., но и в изготовлении твердотельных накопителей, которые в массовом количестве уже были представлены на прошедшей выставке CES 2007. Таким образом, можно ожидать уже в следующем году заметного снижения цен на SSD-накопители, которые благодаря новым достижениям японских инженеров увеличат свою ёмкость или станут более доступными для потребителей. |
